IGBT Infineon, VCE 1600 V., IC 30 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 218-4398
- Codice costruttore:
- IHW30N160R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,896 € | 86,88 € |
| 60 - 120 | 2,751 € | 82,53 € |
| 150 + | 2,635 € | 79,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-4398
- Codice costruttore:
- IHW30N160R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1600 V. | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 263 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1600 V. | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 263 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
IGBT Infineon, corrente massima continua di collettore 30A, tensione massima di emettitore di collettore 1600V - IHW30N160R5XKSA1
Questo IGBT è un robusto dispositivo a semiconduttore progettato per applicazioni ad alta tensione, caratterizzato da una corrente massima di collettore di 30A e funzionante in un intervallo di temperature compreso tra -40°C e +175°C. Il contenitore TO-247 garantisce una comoda installazione, mentre le dimensioni di 16,3 x 21,5 x 5,3 mm rappresentano una soluzione compatta per varie esigenze elettroniche.
Caratteristiche e vantaggi
• Capacità di conduzione inversa per prestazioni migliori
• Il diodo a corpo monolitico riduce la perdita di tensione in avanti
• La stretta distribuzione dei parametri aumenta l'affidabilità
• L'elevata robustezza migliora la durata in condizioni difficili
• Le basse emissioni EMI assicurano un'interferenza minima nei circuiti
• Il diodo a corpo monolitico riduce la perdita di tensione in avanti
• La stretta distribuzione dei parametri aumenta l'affidabilità
• L'elevata robustezza migliora la durata in condizioni difficili
• Le basse emissioni EMI assicurano un'interferenza minima nei circuiti
Applicazioni
• Utilizzato per la cottura a induzione
• Adatto per i circuiti dei forni a microonde
• Ideale per varie commutazioni ad alta tensione
• Compatibile con i moduli di potenza a semiconduttore specializzati
• Adatto per i circuiti dei forni a microonde
• Ideale per varie commutazioni ad alta tensione
• Compatibile con i moduli di potenza a semiconduttore specializzati
Quali sono le caratteristiche termiche principali di questo dispositivo?
La resistenza termica dalla giunzione all'ambiente è di 40 K/W e la resistenza termica dalla giunzione all'involucro è di 0,57 K/W, garantendo una gestione efficiente del calore in condizioni di carico.
Come gestisce questo modulo IGBT le applicazioni ad alta tensione?
Vanta una tensione nominale collettore-emettitore fino a 1600 V, che lo rende adatto ad ambienti ad alta tensione, mantenendo un funzionamento sicuro oltre i limiti specificati.
Quali implicazioni ha la dissipazione di potenza massima per la progettazione?
Con una dissipazione di potenza massima di 263 W, consente una gestione efficiente dell'energia, assicurando che il dispositivo possa funzionare efficacemente senza sovraccarichi termici nelle applicazioni tipiche.