IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, TO-247

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Codice RS:
248-6656
Codice costruttore:
AIKQ200N75CP2XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

200A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

750V

Tipo di package

TO-247

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

15.9mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

41.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

L'IGBT discreto per uso automobilistico Infineon è un IGBT EDT2 con un diodo co-packed nel contenitore TO247PLUS. La tecnologia EDT2 ha una distribuzione dei parametri estremamente stretta e un coefficiente termico positivo, che consente un facile funzionamento in parallelo, fornendo flessibilità del sistema e scalabilità di potenza. La tecnologia EDT da 750 V migliora notevolmente l'efficienza energetica e gli sforzi di raffreddamento per le applicazioni automobilistiche ad alta tensione consentendo tensioni della batteria fino a 470 V e una commutazione rapida sicura grazie ai margini di sovratensione aumentati, consentendo così sistemi inverter ad alte prestazioni.

Corrente autolimitante in condizioni di cortocircuito

Coefficiente termico positivo e distribuzione dei parametri molto stretta per una facile parallelizzazione

Eccellente condivisione della corrente nel funzionamento in parallelo

Caratteristiche di commutazione regolari, bassa firma EMI

Bassa carica del gate

Design semplice dell'azionamento del gate

Elevata affidabilità

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