IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, TO247PLUS
- Codice RS:
- 248-6656
- Codice costruttore:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 240 unità*
3609,84 €
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4404,00 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 240 + | 15,041 € | 3.609,84 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 248-6656
- Codice costruttore:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 200 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 750 V | |
| Tensione massima gate emitter | 15V | |
| Numero di transistor | 3 | |
| Dissipazione di potenza massima | 1,07 kW | |
| Tipo di package | TO247PLUS | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 200 A | ||
Tensione massima collettore emitter 750 V | ||
Tensione massima gate emitter 15V | ||
Numero di transistor 3 | ||
Dissipazione di potenza massima 1,07 kW | ||
Tipo di package TO247PLUS | ||
L'IGBT discreto per uso automobilistico Infineon è un IGBT EDT2 con un diodo co-packed nel contenitore TO247PLUS. La tecnologia EDT2 ha una distribuzione dei parametri estremamente stretta e un coefficiente termico positivo, che consente un facile funzionamento in parallelo, fornendo flessibilità del sistema e scalabilità di potenza. La tecnologia EDT da 750 V migliora notevolmente l'efficienza energetica e gli sforzi di raffreddamento per le applicazioni automobilistiche ad alta tensione consentendo tensioni della batteria fino a 470 V e una commutazione rapida sicura grazie ai margini di sovratensione aumentati, consentendo così sistemi inverter ad alte prestazioni.
Corrente autolimitante in condizioni di cortocircuito
Coefficiente termico positivo e distribuzione dei parametri molto stretta per una facile parallelizzazione
Eccellente condivisione della corrente nel funzionamento in parallelo
Caratteristiche di commutazione regolari, bassa firma EMI
Bassa carica del gate
Design semplice dell'azionamento del gate
Elevata affidabilità
Coefficiente termico positivo e distribuzione dei parametri molto stretta per una facile parallelizzazione
Eccellente condivisione della corrente nel funzionamento in parallelo
Caratteristiche di commutazione regolari, bassa firma EMI
Bassa carica del gate
Design semplice dell'azionamento del gate
Elevata affidabilità
