IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 6 A, N2DIP-26L TIPO Z
- Codice RS:
- 218-4825
- Codice costruttore:
- STGIPQ4C60T-HZ
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 218-4825
- Codice costruttore:
- STGIPQ4C60T-HZ
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 6 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | 600V | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Dissipazione di potenza massima | 12,5 W | |
| Tipo di package | N2DIP-26L TIPO Z | |
| Numero pin | 26 | |
| Configurazione transistor | Serie | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 6 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter 600V | ||
Numero di transistor 6 | ||
Dissipazione di potenza massima 12,5 W | ||
Tipo di package N2DIP-26L TIPO Z | ||
Numero pin 26 | ||
Configurazione transistor Serie | ||
SLLIMM nano 2a serie IPM, inverter trifase, 6 A, 600 V, IGBT robusto con cortocircuito
Questa seconda serie di SLLIMM (modulo sagomato intelligente di piccole dimensioni a bassa perdita) nano fornisce un azionamento per motori c.a. compatto e ad alte prestazioni in un design semplice e robusto. È composto da sei robusti IGBT fieldtop gate a trincea con cortocircuito migliorato con diodi di rotazione libera e tre HVIC half-bridge per l'azionamento del gate, che forniscono caratteristiche di bassa interferenza elettromagnetica (EMI) con velocità di commutazione ottimizzata. Il contenitore è progettato per consentire un dissipatore termico migliore e più facile da avvitare, ed è ottimizzato per prestazioni termiche e compattezza in applicazioni con motori incorporati o altre applicazioni a bassa potenza in cui lo spazio di assemblaggio è limitato. Questo IPM include un amplificatore operativo completamente senza impegno e un comparatore che può essere utilizzato per progettare un circuito di protezione rapido ed efficiente.
- IPM 6 A, 600 V, ponte inverter IGBT trifase che include 3 IC di controllo per l'azionamento del gate e diodi di rotazione libera
- Comparatori di ingresso TTL/CMOS da 3,3 V, 5 V, 15 V con isteresi e resistenze pull-down/pull-up
- Diodo bootstrap interno
- Ottimizzato per basse interferenze elettromagnetiche
- Blocco di sicurezza contro sottotensione
- IGBT TFS resistente contro i cortocircuiti
- Funzione di spegnimento
- Funzione di interblocco
- Amplificatore operazionale per il rilevamento avanzato della corrente
- Comparatore per la protezione da guasti contro la sovracorrente
- Valori nominali di isolamento di 1500 Vrms/min.
- NTC (UL 1434 CA 2 e 4)
- Protezione ESD fino a ±2 kV (HBM C = 100 pF, R = 1,5 kΩ)
- Riconoscimento UL: UL 1557, file E81734
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