IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 900 A, canale N, AG-ECONOD
- Codice RS:
- 222-4798
- Codice costruttore:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4798
- Codice costruttore:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 900 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Configurazione | Dual | |
| Tipo di package | AG-ECONOD | |
| Tipo di canale | N | |
| Configurazione transistor | Emettitore comune | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 900 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Configurazione Dual | ||
Tipo di package AG-ECONOD | ||
Tipo di canale N | ||
Configurazione transistor Emettitore comune | ||
Il modulo Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 con diodo a emissione controllata 7, tecnologia dei contatti NTC e Pressfit. Disponibile anche con materiale di interfaccia termico pre-applicato.
Massima densità di potenza
VCE sat migliore della categoria
Tvj op = 175°C sovraccarico
Terminali migliorati
Distanza di dispersione ottimizzata per applicazioni PV 1500 V.
VCE sat migliore della categoria
Tvj op = 175°C sovraccarico
Terminali migliorati
Distanza di dispersione ottimizzata per applicazioni PV 1500 V.
