IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 226-6114
- Codice costruttore:
- IKW40N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,076 € | 62,28 € |
| 60 - 120 | 1,972 € | 59,16 € |
| 150 - 270 | 1,889 € | 56,67 € |
| 300 - 570 | 1,806 € | 54,18 € |
| 600 + | 1,682 € | 50,46 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6114
- Codice costruttore:
- IKW40N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 74A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 255W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 30 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 74A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 255W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 30 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 42mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Altezza 5.21mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon IKW40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES/EOSS.
Fattore 2,5 Qg inferiore
Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione
200mV riduzione di VCEsat
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