IGBT Infineon IKW40N65F5FKSA1, VCE 650 V, IC 74 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 226-6115
- Codice costruttore:
- IKW40N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
25,80 €
(IVA esclusa)
31,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 15 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 240 unità in spedizione dal 22 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 5,16 € | 25,80 € |
| 25 - 45 | 4,904 € | 24,52 € |
| 50 - 120 | 4,694 € | 23,47 € |
| 125 - 245 | 4,49 € | 22,45 € |
| 250 + | 4,178 € | 20,89 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6115
- Codice costruttore:
- IKW40N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 74A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 255W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 74A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 255W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Altezza 5.21mm | ||
Lunghezza 42mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon IKW40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES/EOSS.
Fattore 2,5 Qg inferiore
Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione
200mV riduzione di VCEsat
Link consigliati
- IGBT Infineon IC 74 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 74 A 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IC 74 A 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 74 A TO-247, 3 Pin Superficie
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IKB40N65EH5ATMA1 IC 74 A TO-247, 3 Pin Superficie
- IGBT Infineon IC 161 A, TO-247
- IGBT Infineon IGW40N65F5FKSA1 IC 74 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 IC 74 A TO-247, 3 Pin Foro passante