Modulo IGBT onsemi NXH040F120MNF1PTG, F1-4PACK Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
245-6960
Codice costruttore:
NXH040F120MNF1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Numero transistor

4

Tipo di package

F1-4PACK

Tipo montaggio

Superficie

Tensione emettitore gate massima VGEO

1200 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

12.35mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

34.1mm

Lunghezza

48.8mm

Serie

NXH040F120MNF1PTG

Standard automobilistico

No

Il modulo MOSFET SiC F1 4PACK on Semiconductor è un modulo di potenza contenente un ponte completo MOSFET SiC da 40 m /1200 V e un termistore in contenitore F1.

Termistore half bridge MOSFET SiC da 40 m/1200 V.

Opzioni con materiale di interfaccia termica pre-applicato e senza TIM pre-applicato

Premere Fit Pins

Questi dispositivi sono privi di piombo, alogenuro e sono conformi alla direttiva RoHS

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