Modulo IGBT onsemi, Q0PACK - custodia 180AJ Superficie

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Codice RS:
245-6981
Codice costruttore:
NXH40B120MNQ0SNG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Dissipazione di potenza massima Pd

118W

Numero transistor

2

Tipo di package

Q0PACK - custodia 180AJ

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

55.2mm

Serie

NXH40B120MNQ0SNG

Larghezza

32.8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

13.9mm

Standard automobilistico

No

Modulo MOSFET SiC completo | Boost SiC completo a due canali EliteSiC, 1200 V, MOSFET SiC a 40 mohm + 1200 V, DBC con diodo SiC nichelato da 40 A


Il modulo di alimentazione Boost Q1 a 3 canali on Semiconductor è un modulo di alimentazione contenente uno stadio dual boost. I diodi SiC e MOSFET SiC integrati forniscono perdite di conduzione e commutazione inferiori, consentendo ai progettisti di ottenere un'elevata efficienza e un'affidabilità superiore.

MOSFET SiC da 1200 V 40 m.

Diodi SiC a recupero inverso e commutazione rapida

Diodi di bypass e anti-parallelo da 1200 V.

Termistore con pin saldabili a basso layout induttivo

Questo dispositivo è privo di piombo, alogeni e BFR ed è conforme alla direttiva RoHS

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