Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 303 A, Q2PACK (senza piombo/alogenuro)

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
245-6976
Codice costruttore:
NXH350N100H4Q2F2S1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

303 A

Tensione massima collettore emitter

1000 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

592 W

Numero di transistor

4

Tipo di package

Q2PACK (senza piombo/alogenuro)

Modulo ibrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I 1000 V, IGBT 350 A, diodo SiC 1200 V, 100 A, pin a saldare contenitore Q2


Il modulo contenitore NPC Q2 a tre livelli on Semiconductor è un modulo di potenza integrato ad alta densità che combina IGBT ad alte prestazioni con robusti diodi anti-parallelo.

Trench estremamente efficiente con tecnologia di arresto sul campo
La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema
Il design del modulo offre un'elevata densità di potenza
Basso layout induttivo
Contenitore a bassa altezza
Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni, BFR e sono conformi alla direttiva RoHS

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