Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 75 A, Q0PACK - contenitore 180AB (senza piombo e alogenuro)
- Codice RS:
- 245-6992
- Codice costruttore:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 vassoio da 24 unità*
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- Codice RS:
- 245-6992
- Codice costruttore:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 4 | |
| Dissipazione di potenza massima | 188 W | |
| Tipo di package | Q0PACK - contenitore 180AB (senza piombo e alogenuro) | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 4 | ||
Dissipazione di potenza massima 188 W | ||
Tipo di package Q0PACK - contenitore 180AB (senza piombo e alogenuro) | ||
Il modulo Q0PACK on Semiconductor è un modulo di alimentazione contenente uno stadio inverter a tre livelli bloccato con punto neutro di tipo T. Gli IGBT Field Stop Trench integrati e i diodi a recupero rapido forniscono perdite di conduzione e commutazione inferiori, consentendo ai progettisti di ottenere un'elevata efficienza e un'affidabilità superiore.
Bassa perdita di commutazione
VCESAT basso
Contenitore compatto 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm
Opzioni con materiale di interfaccia termico pre-applicato e senza TIM pre-applicato
Opzioni con pin saldabili e termistore con pin a pressione
VCESAT basso
Contenitore compatto 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm
Opzioni con materiale di interfaccia termico pre-applicato e senza TIM pre-applicato
Opzioni con pin saldabili e termistore con pin a pressione
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