Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a pressione Case 180BF (senza piombo e alogenuro)

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
245-6962
Codice costruttore:
NXH100B120H3Q0PG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

61 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

186 W

Numero di transistor

2

Tipo di package

Pin a pressione Case 180BF (senza piombo e alogenuro)

Il modulo di potenza Dual Boost on Semiconductor è un modulo di alimentazione contenente uno stadio dual boost. I diodi IGBT e SiC Field Stop Trench integrati forniscono perdite di conduzione e commutazione inferiori, consentendo ai progettisti di ottenere un'elevata efficienza e un'affidabilità superiore.

IGBT Field Stop 1200 V Ultra
Diodi SiC a recupero inverso e commutazione rapida
Diodi di bypass e anti-parallelo da 1600 V.
Layout induttivo basso
Pin saldabili o pin a pressione
Opzioni termistore con materiale di interfaccia termica pre-applicato e senza TIM pre-applicato

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