Modulo IGBT onsemi NXH450B100H4Q2F2SG, VCE 1000 V, Q2BOOST - custodia 180BR Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
245-6989
Codice costruttore:
NXH450B100H4Q2F2SG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1000V

Numero transistor

2

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tipo di package

Q2BOOST - custodia 180BR

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

47.3mm

Serie

NXH450B100H4Q2F2SG

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

93.1mm

Altezza

12.3mm

Standard automobilistico

No

Il modulo Q2BOOST on Semiconductor è un modulo boost simmetrico a tre canali si o SiC ibrido. Ogni canale contiene due IGBT da 1000 V, 150 A, due diodi SiC da 1200 V, 30 A e due diodi di bypass da 1600 V, 30 A. Il modulo contiene un termistore NTC.

La tecnologia ibrida al silicio o SiC ottimizza la densità di potenza

La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema

Basso layout induttivo

Opzioni con pin a pressione e a saldare

Questo dispositivo è privo di piombo, alogeni ed è conforme alla direttiva RoHS

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