Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST -

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
245-6969
Codice costruttore:
NXH300B100H4Q2F2PG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

73 A

Tensione massima collettore emitter

1000 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

79 W

Numero di transistor

6

Tipo di package

93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - PIM53

Il modulo Q2BOOST on Semiconductor è un modulo di potenza integrato ad alta densità da−che combina IGBT ad alte prestazioni con diodo SiC da 1200 V.

Trench estremamente efficiente con tecnologia di arresto sul campo
La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema
Il design del modulo offre un'elevata densità di potenza
Basso layout induttivo
3 canali in contenitore Q2BOOST
Sono dispositivi senza piombo

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