Modulo IGBT onsemi NXH300B100H4Q2F2PG, VCE 1000 V, Q2BOOST-PIM53 Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
245-6969
Codice costruttore:
NXH300B100H4Q2F2PG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1000V

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Numero transistor

6

Tipo di package

Q2BOOST-PIM53

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

47.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

NXH300B100H4Q2F2PG

Lunghezza

93.1mm

Altezza

17.7mm

Standard automobilistico

No

Il modulo Q2BOOST on Semiconductor è un modulo di potenza integrato ad alta densità da−che combina IGBT ad alte prestazioni con diodo SiC da 1200 V.

Trench estremamente efficiente con tecnologia di arresto sul campo

La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema

Il design del modulo offre un'elevata densità di potenza

Basso layout induttivo

3 canali in contenitore Q2BOOST

Sono dispositivi senza piombo

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