Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, Q2PACK Superficie

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Codice RS:
245-6973
Codice costruttore:
NXH350N100H4Q2F2P1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1000V

Dissipazione di potenza massima Pd

592W

Numero transistor

4

Tipo di package

Q2PACK

Tipo montaggio

Superficie

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

NXH350N100H4Q2F2P1G

Altezza

12.3mm

Lunghezza

93.1mm

Larghezza

47.3mm

Standard automobilistico

No

Modulo ibrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I 1000 V, IGBT 350 A, diodo SiC 1200 V, 100 A, pin a pressione con contenitore Q2


Il modulo NPC Q2Pack a tre livelli on Semiconductor è un modulo di potenza integrato ad alta densità che combina IGBT ad alte prestazioni con robusti diodi anti-parallelo.

Trench estremamente efficiente con tecnologia di arresto sul campo

La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema

Il design del modulo offre un'elevata densità di potenza

Basso layout induttivo

Contenitore a bassa altezza

Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni e sono conformi alla direttiva RoHS

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