Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 303 A, Q2PACK (senza piombo/alogenuro)
- Codice RS:
- 245-6974
- Codice costruttore:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 unità*
171,14 €
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- Codice RS:
- 245-6974
- Codice costruttore:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 303 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1000 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 4 | |
| Dissipazione di potenza massima | 592 W | |
| Tipo di package | Q2PACK (senza piombo/alogenuro) | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 303 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1000 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 4 | ||
Dissipazione di potenza massima 592 W | ||
Tipo di package Q2PACK (senza piombo/alogenuro) | ||
Modulo ibrido Si/SiC - EliteSiC, NPC tipo I 1000 V, IGBT 350 A, diodo SiC 1200 V, 100 A, pin a pressione con contenitore Q2
Il modulo NPC Q2Pack a tre livelli on Semiconductor è un modulo di potenza integrato ad alta densità che combina IGBT ad alte prestazioni con robusti diodi anti-parallelo.
Trench estremamente efficiente con tecnologia di arresto sul campo
La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema
Il design del modulo offre un'elevata densità di potenza
Basso layout induttivo
Contenitore a bassa altezza
Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni e sono conformi alla direttiva RoHS
La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema
Il design del modulo offre un'elevata densità di potenza
Basso layout induttivo
Contenitore a bassa altezza
Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni e sono conformi alla direttiva RoHS
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