Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BG (pin a pressione senza piombo e alogenuro)

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Codice RS:
245-6985
Codice costruttore:
NXH450B100H4Q2F2PG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

101 A

Tensione massima collettore emitter

1000 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

79 W

Numero di transistor

2

Tipo di package

Q2BOOST - contenitore 180BG (pin a pressione senza piombo e alogenuro)

Il modulo Q2BOOST on Semiconductor è un modulo boost simmetrico a tre canali si o SiC ibrido. Ogni canale contiene due IGBT da 1000 V, 150 A, due diodi SiC da 1200 V, 30 A e due diodi di bypass da 1600 V, 30 A. Il modulo contiene un termistore NTC.

La tecnologia ibrida al silicio o SiC ottimizza la densità di potenza
La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema
Basso layout induttivo
Opzioni con pin a pressione e a saldare
Questo dispositivo è privo di piombo, alogeni ed è conforme alla direttiva RoHS

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