Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A
- Codice RS:
- 248-6694P
- Codice costruttore:
- SKM100GB12F4
- Costruttore:
- Semikron
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- Codice RS:
- 248-6694P
- Codice costruttore:
- SKM100GB12F4
- Costruttore:
- Semikron
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±15.0V | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Configurazione | Half Bridge | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Semikron | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±15.0V | ||
Numero di transistor 2 | ||
Configurazione Half Bridge | ||
Il modulo IGBT Semikron serie SEMITRANS è dotato di un collettore a 1200 V per la tensione di emissione. È utilizzato principalmente in UPS, saldatrici elettroniche, riscaldamento induttivo, alimentatori switched mode.
Maggiore capacità di ciclo di potenza
con piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (Direct Bonded Copper)
per frequenze di commutazione superiori a 15 kHz
con piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (Direct Bonded Copper)
per frequenze di commutazione superiori a 15 kHz
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