Modulo IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 750 A, EconoDUALTM3
- Codice RS:
- 250-0224
- Codice costruttore:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 227,496 € | 2.274,96 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-0224
- Codice costruttore:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 750A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1700V | |
| Numero transistor | 2 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Tipo di package | EconoDUALTM3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.1V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | FF | |
| Standard/Approvazioni | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 750A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1700V | ||
Numero transistor 2 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Tipo di package EconoDUALTM3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.1V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie FF | ||
Standard/Approvazioni 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Standard automobilistico No | ||
Modulo IGBT7 Infineon EconoDUAL™ 3 da 1700 V, 750 A, doppio TRENCHSTOP™ con emettitore allargato controllato da 7 diodi, NTC e tecnologia dei contatti PressFIT.
Sensore di temperatura integrato
Elevata densità di corrente
Bassa VCE, sat
Funzionamento con sovraccarico fino a 175 °C
TRENCHSTOP™ IGBT7
VCE, sat con coefficiente di temperatura positivo
Diodo ampliato per funzionamento rigenerativo
Elevata densità di potenza
Piastra di base isolata
Tecnologia dei contatti PressFIT
Alloggiamento standard
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