Modulo IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 750 A
- Codice RS:
- 250-0225
- Codice costruttore:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 250-0225
- Codice costruttore:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 750 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1700 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 750 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1700 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 2 | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Modulo IGBT7 Infineon EconoDUAL™ 3 da 1700 V, 750 A, doppio TRENCHSTOP™ con emettitore allargato controllato da 7 diodi, NTC e tecnologia dei contatti PressFIT.
Sensore di temperatura integrato
Elevata densità di corrente
Bassa VCE, sat
Funzionamento con sovraccarico fino a 175 °C
TRENCHSTOP™ IGBT7
VCE, sat con coefficiente di temperatura positivo
Diodo ampliato per funzionamento rigenerativo
Elevata densità di potenza
Piastra di base isolata
Tecnologia dei contatti PressFIT
Alloggiamento standard
Elevata densità di corrente
Bassa VCE, sat
Funzionamento con sovraccarico fino a 175 °C
TRENCHSTOP™ IGBT7
VCE, sat con coefficiente di temperatura positivo
Diodo ampliato per funzionamento rigenerativo
Elevata densità di potenza
Piastra di base isolata
Tecnologia dei contatti PressFIT
Alloggiamento standard
