IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A
- Codice RS:
- 253-9836
- Codice costruttore:
- FP75R12N2T7PB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 93,97 € | 939,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 253-9836
- Codice costruttore:
- FP75R12N2T7PB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
La serie FP75 Infineon è un modulo EconoPIM 2 con IGBT e diodo controllato emettitore e PressFIT o NTC o TIM.
Funzionamento con sovraccarico a basso VCEsat fino a 175 °C, potenza elevata e capacità di ciclo termico, sensore di temperatura NTC integrato, piastra di base in rame, tecnologia di contatto PessFIT, materiale di interfaccia termica preapplicato