IGBT Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1, VCE 1200 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
253-9837
Codice costruttore:
FP75R12N2T7PB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.85V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

45 mm

Lunghezza

107.5mm

Altezza

17mm

Serie

FP75R12N2T7PB11B

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie FP75 Infineon è un modulo EconoPIM 2 con IGBT e diodo controllato emettitore e PressFIT o NTC o TIM.

Funzionamento con sovraccarico a basso VCEsat fino a 175 °C, potenza elevata e capacità di ciclo termico, sensore di temperatura NTC integrato, piastra di base in rame, tecnologia di contatto PessFIT, materiale di interfaccia termica preapplicato

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