IGBT Infineon, VCE 1200 V

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Codice RS:
253-9838
Codice costruttore:
FP75R12N3T7B11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.85V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

62.5 mm

Altezza

17mm

Lunghezza

122mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

FP75R12N3T7B11B

Standard automobilistico

No

La serie FP75 di Infineon è un modulo EconoPIM 3 con IGBT e diodo controllato da emettitore e PressFIT o NTC.

Funzionamento con sovraccarico fino a 175 °C Bassa VCEsat Elevata potenza e capacità di ciclo termico Sensore di temperatura NTC integrato Piastra di base in rame Tecnologia di contatto PressFIT Alloggiamento standard

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