IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N

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Codice RS:
273-2927
Codice costruttore:
FP75R12N2T7BPSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

7

Dissipazione di potenza massima

20 mW

Configurazione

Emettitore comune

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Numero pin

31

Il modulo IGBT PIM trifase Infineon con IGBT7, 7 diodi controllati dall'emittente e NTC. Il PIM (Power Integrated Modules) con l'integrazione di raddrizzatore e chopper per freni consente di risparmiare sui costi del sistema.

Elevata affidabilità e densità di potenza
Piastra di base in rame per una diffusione del calore ottimizzata
Elevata densità di potenza
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