IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N
- Codice RS:
- 273-2927
- Codice costruttore:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 15 - 15 | 108,369 € | 1.625,54 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2927
- Codice costruttore:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Configurazione | Emettitore comune | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 31 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 7 | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Configurazione Emettitore comune | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 31 | ||
Il modulo IGBT PIM trifase Infineon con IGBT7, 7 diodi controllati dall'emittente e NTC. Il PIM (Power Integrated Modules) con l'integrazione di raddrizzatore e chopper per freni consente di risparmiare sui costi del sistema.
Elevata affidabilità e densità di potenza
Piastra di base in rame per una diffusione del calore ottimizzata
Elevata densità di potenza
Tecnologia dei contatti a saldare
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