IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO247AC

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
543-0260P
Codice costruttore:
IRG4PC40SPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

60 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Tipo di package

TO247AC

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.9 x 5.3 x 20.3mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

IGBT singolo oltre 21 A, Infineon


IGBT ottimizzato progettato per applicazioni di media frequenza, con una risposta rapida che fornisce all'utente la massima efficienza disponibile. Sfrutta diodi FRED ottimizzati per fornire le migliori prestazioni con l'IGBT


Transistor IGBT, International Rectifier


International Rectifier offre un'ampia gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) che vanno da 300 V a 1200 V sulla base di varie tecnologie che riducono al minimo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l'efficienza, ridurre i problemi termici e migliorare la densità di potenza. Inoltre, l'azienda offre una vasta gamma di stampi IGBT progettati specificamente per i moduli di potenza medio-alta. Per i moduli che richiedono la massima affidabilità, possono essere impiegati stampi SFM (Solderable Front Metal) per eliminare i cavi e consentire il raffreddamento su due lati, al fine di migliorare le prestazioni termiche, l'affidabilità e l'efficienza.

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