Arresto di campo IGBT onsemi FGH40N60SFDTU, VCE 600 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

4,79 €

(IVA esclusa)

5,84 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 13 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 144 unità in spedizione dal 21 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 94,79 €
10 +4,13 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9267
Codice costruttore:
FGH40N60SFDTU
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tipo prodotto

Arresto di campo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

290W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

25ns

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

Field Stop

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati