IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics STGW30H60DFB, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

60,75 €

(IVA esclusa)

74,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi

Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 2702,025 €60,75 €
300 - 7202,00 €60,00 €
750 +1,975 €59,25 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-8808
Codice costruttore:
STGW30H60DFB
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tipo prodotto

IGBT arresto di campo gate di trincea

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

260W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

HB

Altezza

20.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati