IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 192-4655
- Codice costruttore:
- STGWT20H65FB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
55,44 €
(IVA esclusa)
67,65 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 14 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 1,848 € | 55,44 € |
| 120 - 240 | 1,798 € | 53,94 € |
| 270 - 480 | 1,75 € | 52,50 € |
| 510 - 990 | 1,706 € | 51,18 € |
| 1020 + | 1,663 € | 49,89 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 192-4655
- Codice costruttore:
- STGWT20H65FB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT arresto di campo gate di trincea | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 168W | |
| Tipo di package | TO | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | HB | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT arresto di campo gate di trincea | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 168W | ||
Tipo di package TO | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie HB | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- KR
Questi dispositivi sono IGBT sviluppati utilizzando una struttura Advanced proprietaria trench gate e field-stop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, un coefficiente di temperatura VCE(sat)leggermente positivo e una distribuzione molto stretta dei parametri danno come risultato un funzionamento in parallelo più sicuro.
Temperatura massima di giunzione: TJ= 175 °C.
Serie di commutazione ad alta velocità
Corrente di coda ridotta al minimo
VCE(sat)= 1,55 V (tip.) @ IC= 20 A.
Distribuzione dei parametri ridotta
Collegamento in parallelo sicuro
Bassa resistenza termica
Confezione senza piombo
Link consigliati
- IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics STGWT20H65FB IC 40 A TO, 3 Pin Foro
- IGBT ROHM RGS40NL65HRBTL IC 20 A TO-263L, 3 Pin Superficie
- IGBT ROHM RGS40NL65DHRBTL IC 20 A TO-263L, 3 Pin Superficie
- IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics STGD5H60DF IC 10 A TO-252, 3 Pin
- IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics STGW30H60DFB IC 30 A TO-247, 3 Pin
- IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics STGFW30V60DF IC 60 A TO-3PF, 3 Pin
- IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics IC 10 A TO-252, 3 Pin Superficie
- IGBT a trincea con arresto di campo onsemi IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante