IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
192-4655
Codice costruttore:
STGWT20H65FB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IGBT arresto di campo gate di trincea

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

168W

Tipo di package

TO

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

HB

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
KR
Questi dispositivi sono IGBT sviluppati utilizzando una struttura Advanced proprietaria trench gate e field-stop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, un coefficiente di temperatura VCE(sat)leggermente positivo e una distribuzione molto stretta dei parametri danno come risultato un funzionamento in parallelo più sicuro.

Temperatura massima di giunzione: TJ= 175 °C.

Serie di commutazione ad alta velocità

Corrente di coda ridotta al minimo

VCE(sat)= 1,55 V (tip.) @ IC= 20 A.

Distribuzione dei parametri ridotta

Collegamento in parallelo sicuro

Bassa resistenza termica

Confezione senza piombo

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