IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, A
- Codice RS:
- 192-4655
- Codice costruttore:
- STGWT20H65FB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
55,44 €
(IVA esclusa)
67,65 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 06 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 1,848 € | 55,44 € |
| 120 - 240 | 1,798 € | 53,94 € |
| 270 - 480 | 1,75 € | 52,50 € |
| 510 - 990 | 1,706 € | 51,18 € |
| 1020 + | 1,663 € | 49,89 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 192-4655
- Codice costruttore:
- STGWT20H65FB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 40 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 168 W | |
| Tipo di package | A | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 40 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 168 W | ||
Tipo di package A | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
- Paese di origine:
- KR
Questi dispositivi sono IGBT sviluppati utilizzando una struttura Advanced proprietaria trench gate e field-stop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, un coefficiente di temperatura VCE(sat)leggermente positivo e una distribuzione molto stretta dei parametri danno come risultato un funzionamento in parallelo più sicuro.
Temperatura massima di giunzione: TJ= 175 °C.
Serie di commutazione ad alta velocità
Corrente di coda ridotta al minimo
VCE(sat)= 1,55 V (tip.) @ IC= 20 A.
Distribuzione dei parametri ridotta
Collegamento in parallelo sicuro
Bassa resistenza termica
Confezione senza piombo
Serie di commutazione ad alta velocità
Corrente di coda ridotta al minimo
VCE(sat)= 1,55 V (tip.) @ IC= 20 A.
Distribuzione dei parametri ridotta
Collegamento in parallelo sicuro
Bassa resistenza termica
Confezione senza piombo