IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics STGD5H60DF, VCE 600 V, IC 10 A, canale Tipo N, TO-252, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-2798
Codice costruttore:
STGD5H60DF
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT arresto di campo gate di trincea

Corrente massima continua collettore Ic

10A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.95V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Serie

H

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

221mJ

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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