IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics STGFW30V60DF, VCE 600 V, IC 60 A, canale Tipo N, TO-3PF, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
792-5779
Codice costruttore:
STGFW30V60DF
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

60A

Tipo prodotto

IGBT arresto di campo gate di trincea

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

260W

Tipo di package

TO-3PF

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.3V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

26.7mm

Lunghezza

15.7mm

Serie

V

Standard/Approvazioni

ECOPACK

Standard automobilistico

No

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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