IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 60 A, TO-3PF
- Codice RS:
- 168-7090
- Codice costruttore:
- STGFW30V60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
60 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)
1,407 €
(IVA esclusa)
1,717 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 30 + | 1,407 € | 42,21 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 168-7090
- Codice costruttore:
- STGFW30V60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Normative
- Paese di origine:
- KR
Dettagli prodotto
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 60 A |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Dissipazione di potenza massima | 58 W |
| Tipo di package | TO-3PF |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Velocità di switching | 1MHz |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Dimensioni | 15.7 x 5.7 x 26.7mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |