IGBT STMicroelectronics STGW20H60DF, VCE 600 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
792-5798
Codice costruttore:
STGW20H60DF
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

20.15mm

Serie

Trench Gate Field Stop

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Recently viewed