IGBT discreto Toshiba GT50JR22, VCE 600 V, IC 50 A, canale Tipo N, TO-3P, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

6,38 €

(IVA esclusa)

7,78 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1 unità in spedizione dal 23 febbraio 2026
  • Più 241 unità in spedizione dal 23 febbraio 2026
  • Più 16 unità in spedizione dal 24 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 96,38 €
10 - 494,04 €
50 - 1243,95 €
125 - 2493,90 €
250 +3,82 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
796-5064
Codice costruttore:
GT50JR22
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tipo prodotto

IGBT discreto

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tipo di package

TO-3P

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±25 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

6.5th generation

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

IGBT Discreti, Toshiba


IGBT discreti e moduli, Toshiba


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati