IGBT discreto Toshiba GT20J341, VCE 600 V, IC 20 A, canale Tipo N, TO-220SIS, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
796-5055
Codice costruttore:
GT20J341
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tipo prodotto

IGBT discreto

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tipo di package

TO-220SIS

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

100kHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±25 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

GT20J341

Standard automobilistico

No

IGBT Discreti, Toshiba


IGBT discreti e moduli, Toshiba


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati