IGBT XPT IXYS IXA37IF1200HJ, VCE 1200 V, IC 58 A, canale Tipo N, ISOPLUS247, 3 Pin Montaggio su circuito stampato

Visualizza IGBT
Fuori catalogo
Opzioni di confezione:
Codice RS:
808-0215
Codice Distrelec:
302-53-265
Codice costruttore:
IXA37IF1200HJ
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

IGBT XPT

Corrente massima continua collettore Ic

58A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

195W

Tipo di package

ISOPLUS247

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

70ns

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.8V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

Planar

Standard/Approvazioni

Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747, RoHS

Lunghezza

20.6mm

Larghezza

0.1 mm

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, serie IXYS XPT


La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari.

Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione

Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva

Capacità di corto circuito per 10 μsec

Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo

Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™

Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario

IGBT discreti e modulari, IXYS


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati