IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-3P

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
829-4666
Codice costruttore:
STGWT60H65DFB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

375 W

Tipo di package

TO-3P

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.8 x 5 x 20.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+175 °C

ESBT discreti, ST Microelectronics



IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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