IGBT Fairchild Semiconductor, VCE 420 V, IC 46 A, canale N, D2PAK (TO-263)
- Codice RS:
- 862-9362P
- Codice costruttore:
- ISL9V5036S3ST
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 10 unità (fornito in una striscia continua)*
35,88 €
(IVA esclusa)
43,77 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 95 | 3,588 € |
| 100 - 245 | 2,87 € |
| 250 - 495 | 2,706 € |
| 500 + | 2,556 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 862-9362P
- Codice costruttore:
- ISL9V5036S3ST
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Fairchild Semiconductor | |
| Corrente massima continuativa collettore | 46 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 420 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±14V | |
| Dissipazione di potenza massima | 250 W | |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Fairchild Semiconductor | ||
Corrente massima continuativa collettore 46 A | ||
Tensione massima collettore emitter 420 V | ||
Tensione massima gate emitter ±14V | ||
Dissipazione di potenza massima 250 W | ||
Tipo di package D2PAK (TO-263) | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.