IGBT Fairchild Semiconductor, VCE 505 V, IC 51 A, canale N, D2PAK (TO-263)

Visualizza IGBT
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
862-9369
Codice costruttore:
ISL9V5045S3ST_F085
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Fairchild Semiconductor

Corrente massima continuativa collettore

51 A

Tensione massima collettore emitter

505 V

Tensione massima gate emitter

±14V

Dissipazione di potenza massima

300 W

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Massima temperatura operativa

+175 °C

IGBT di accensione per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Questi dispositivi IGBT EcoSPARK sono ottimizzati per l'azionamento di bobine di accensione per uso automobilistico. Sono stati testati in presenza di sollecitazioni e soddisfano lo standard AEC-Q101.

Caratteristiche


• Stadio pilota livello logico
• Protezione ESD
• Applicazioni: circuiti driver di bobine di accensione per uso automobilistico, applicazioni Coil-on-Plug

Codici dei prodotti RS



864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK


864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2


807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK


864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK


864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220


864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2


864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK


807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK


864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2


864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220


807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31 A TO220


862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

Nota

I valori di corrente nominale indicati si applicano con temperatura della giunzione Tc = +110 °C.

Standard

AEC-Q101


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati