IGBT Infineon IKW50N60H3FKSA1, VCE 600 V, IC 100 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 897-7239
- Codice costruttore:
- IKW50N60H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
9,70 €
(IVA esclusa)
11,84 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 8 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 206 unità in spedizione dal 03 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 + | 4,85 € | 9,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 897-7239
- Codice costruttore:
- IKW50N60H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 333W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 273ns | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.3V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC | |
| Serie | TrenchStop | |
| Classificazione energetica | 2.55mJ | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 333W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 273ns | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.3V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC | ||
Serie TrenchStop | ||
Classificazione energetica 2.55mJ | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V
Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.
• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Link consigliati
- IGBT Infineon IC 100 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT Infineon IC 40 A TO-247
- IGBT Infineon IC 200 A, TO-247
- IGBT Infineon IC 161 A, TO-247
- IGBT Infineon IC 40 A 3 Pin Foro passante
- IGBT Infineon IC 140 A 3 Pin Foro passante
- IGBT Infineon IC 60 A 3 Pin Foro passante
- IGBT Infineon IC 50 A 3 Pin Foro passante