IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 897-7239
- Codice costruttore:
- IKW50N60H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
20 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
2 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
2,715 €
(IVA esclusa)
3,312 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 2 + | 2,715 € | 5,43 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 897-7239
- Codice costruttore:
- IKW50N60H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Normative
Dettagli prodotto
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V
Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.
• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V |
| Tensione massima gate emitter | ±20V |
| Dissipazione di potenza massima | 333 W |
| Tipo di package | TO-247 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Tipo di canale | N |
| Numero pin | 3 |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Dimensioni | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Capacità del gate | 2960pF |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Classe di efficienza energetica | 2.55mJ |
| Minima temperatura operativa | -40 °C |