JFET MMBFJ177LT1G onsemi, canale P, Single, SOT-23, 3 Pin Singolo

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Codice RS:
163-0963
Codice costruttore:
MMBFJ177LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss

1.5 to 20mA

Tensione massima drain gate

25V cc

Configurazione transistor

Singolo

Configurazione

Single

Resistenza massima drain source

300 Ω

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOT-23

Numero pin

3

Capacità source gate on

11pF

Dimensioni

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Larghezza

1.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.01mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

3.04mm

Paese di origine:
CN

JFET a canale P, ON Semiconductor



Transistor JFET


Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).

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