JFET MMBFJ175LT1G onsemi, canale P, Single, SOT-23, 3 Pin Singolo

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
864-7840
Codice costruttore:
MMBFJ175LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss

-7 to -60mA

Tensione massima drain source

15 V

Tensione massima drain gate

-25V

Configurazione

Single

Configurazione transistor

Singolo

Resistenza massima drain source

125 Ω

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOT-23

Numero pin

3

Capacità Drain Gate

11pF

Capacità source gate on

11pF

Dimensioni

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Larghezza

1.4mm

Altezza

1.01mm

Lunghezza

3.04mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

JFET a canale P, ON Semiconductor



Transistor JFET


Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).

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