JFET J109 onsemi, canale N, Single, TO-92, 3 Pin Singolo
- Codice RS:
- 166-2021
- Codice costruttore:
- J109
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | 0,193 € | 193,00 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-2021
- Codice costruttore:
- J109
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss | min. 40mA | |
| Tensione massima gate source | -25 V | |
| Tensione massima drain gate | 25V | |
| Configurazione | Single | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Resistenza massima drain source | 12 Ω | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Numero pin | 3 | |
| Capacità Drain Gate | 85pF | |
| Capacità source gate on | 85pF | |
| Dimensioni | 4.58 x 3.86 x 4.58mm | |
| Altezza | 4.58mm | |
| Lunghezza | 4.58mm | |
| Larghezza | 3.86mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss min. 40mA | ||
Tensione massima gate source -25 V | ||
Tensione massima drain gate 25V | ||
Configurazione Single | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Resistenza massima drain source 12 Ω | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Numero pin 3 | ||
Capacità Drain Gate 85pF | ||
Capacità source gate on 85pF | ||
Dimensioni 4.58 x 3.86 x 4.58mm | ||
Altezza 4.58mm | ||
Lunghezza 4.58mm | ||
Larghezza 3.86mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
JFET a canale N, Fairchild Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
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