JFET Toshiba, canale Tipo N, canale JFET 10 V 0.3 to 0.75 mA, Singolo, SOT-346, 3 Pin
- Codice RS:
- 760-3123P
- Codice costruttore:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Costruttore:
- Toshiba
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|---|---|
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- Codice RS:
- 760-3123P
- Codice costruttore:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | JFET | |
| Sottotipo | JFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 10V | |
| Configurazione | Singolo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOT-346 | |
| Corrente drain-source Ids | 0.3 to 0.75 mA | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100kΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Larghezza | 1.5 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto JFET | ||
Sottotipo JFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 10V | ||
Configurazione Singolo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOT-346 | ||
Corrente drain-source Ids 0.3 to 0.75 mA | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100kΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Larghezza 1.5 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N, Toshiba
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
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