Transistor 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba, canale Tipo N, canale Amplificatore a basso rumore di frequenza audio 10 V 14 mA,

Visualizza JFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

519,00 €

(IVA esclusa)

633,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 23 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,173 €519,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
236-3554
Codice costruttore:
2SK209-GR(TE85L,F)
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

Transistor

Sottotipo

Amplificatore a basso rumore di frequenza audio

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

10V

Configurazione

Tipo di giunzione

Tipo di package

S-MINI

Dissipazione di potenza massima Pd

150mW

Minima temperatura operativa

25°C

Numero pin

3

Corrente drain-source Ids

14 mA

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-50 V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

2SK209

Standard automobilistico

No

Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e ha una giunzione a canale N. È utilizzato principalmente in applicazioni di amplificatori a bassa rumorosità e frequenza audio.

Bassi disturbi

Contenitore di piccole dimensioni

Link consigliati