JFET 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba, canale N, Single, SOT-346 (SC-59), 3 Pin Singolo
- Codice RS:
- 760-3126P
- Codice costruttore:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Costruttore:
- Toshiba
Prezzo per 10 unità (fornito in una striscia continua)*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 760-3126P
- Codice costruttore:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss | 1.2 to 3.0mA | |
| Tensione massima drain source | 10 V | |
| Tensione massima gate source | -30 V | |
| Tensione massima drain gate | -50V | |
| Configurazione | Single | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOT-346 (SC-59) | |
| Numero pin | 3 | |
| Dimensioni | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Larghezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Massima temperatura operativa | +125 °C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss 1.2 to 3.0mA | ||
Tensione massima drain source 10 V | ||
Tensione massima gate source -30 V | ||
Tensione massima drain gate -50V | ||
Configurazione Single | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOT-346 (SC-59) | ||
Numero pin 3 | ||
Dimensioni 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Larghezza 1.5mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Massima temperatura operativa +125 °C | ||
Altezza 1.1mm | ||
MOSFET a canale N, Toshiba
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
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