Transistor MOSFET Toshiba, canale P, 60 mΩ, 4,5 A, VS, Montaggio superficiale

Marchio

Toshiba

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

4,5 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

VS

Serie

U-MOSⅣ

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

60 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Dissipazione di potenza massima

2,2 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

13 nC a 10 V

Larghezza

1.6mm

Lunghezza

2.9mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

0.7mm