Memoria Flash Alliance Memory NAND, 2 GB, FBGA, 63 Pin, Parallelo AS9F32G08SA-25BIN
- Codice RS:
- 665-374
- Codice costruttore:
- AS9F32G08SA-25BIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 665-374
- Codice costruttore:
- AS9F32G08SA-25BIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Dimensione memoria | 2GB | |
| Tipo prodotto | Memoria Flash | |
| Tipo di interfaccia | Parallelo | |
| Tipo di package | FBGA | |
| Numero pin | 63 | |
| Organizzazione | 2G x 8 | |
| Tipo di cella | NAND | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.7V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 105°C | |
| Standard/Approvazioni | ONFI 1.0, RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 11mm | |
| Larghezza | 9 mm | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 25μs | |
| Standard automobilistico | No | |
| Serie | AS9Fxx | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Dimensione memoria 2GB | ||
Tipo prodotto Memoria Flash | ||
Tipo di interfaccia Parallelo | ||
Tipo di package FBGA | ||
Numero pin 63 | ||
Organizzazione 2G x 8 | ||
Tipo di cella NAND | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Tensione minima di alimentazione 1.7V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 105°C | ||
Standard/Approvazioni ONFI 1.0, RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 11mm | ||
Larghezza 9 mm | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 25μs | ||
Standard automobilistico No | ||
Serie AS9Fxx | ||
- Paese di origine:
- KR
Il Flash NAND parallelo SLC da 2 Gb Alliance Memory è dotato di un'interfaccia I/O x8 bit e funziona con un alimentatore da 3,3 V c.c. Progettata pensando all'efficienza economica, la struttura delle celle NAND offre una soluzione efficiente per l'archiviazione di massa a stato solido. La memoria è suddivisa in blocchi cancellabili in modo indipendente, consentendo di conservare i dati validi mentre i dati vecchi vengono cancellati. I comandi, i dati e gli indirizzi vengono introdotti in modo sincrono utilizzando i pin di ingresso CE, WE, RE, ALE e CLE. Un controller di programmazione/cancellazione su chip automatizza tutte le operazioni di programmazione e cancellazione, compresa la ripetizione di impulsi, la verifica interna e la marginalizzazione dei dati. Le operazioni di modifica possono essere bloccate utilizzando l'ingresso WP per evitare modifiche involontarie.
Programma di back-Copy che consente una copia rapida dei dati senza buffer esterno
Buffer interno di lettura cache per migliorare la velocità di lettura
Chip Enable Don't Care Semplice interfaccia con microcontrollore
Cancellazione del programma di lettura del registro di stato normale
Programma di protezione dei dati hardware, cancellazione bloccato durante le transizioni di alimentazione
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