Memoria Flash Cypress Semiconductor, 1024Mbit, TSOP, 56 Pin, CFI

CMOS 3.0 Volt Core con i/o Versatile
Tecnologia MirrorBit Eclipse a 65 nm
Alimentazione singola (Vcc) per lettura / programmazione / cancellazione (da 2,7 V a 3,6 V)
Funzione i/o versatile
Ampia gamma di tensione i/o (VIO): Da 1,65 V a Vcc
bus dati ´16
Lettura asincrona della pagina a 32 byte
Buffer di programmazione da 512 byte
Programmazione in multipli di pagina, fino a un massimo di 512 byte
Parola singola e programma multiplo sulle stesse opzioni di parola
Controllo e correzione automatica degli errori (ECC)
Hardware interno ECC con correzione degli errori a singolo bit
Cancellazione Settore
Settori 128Kb uniformi
Comandi di sospensione e ripresa per le operazioni di programmazione e cancellazione
I metodi di registrazione dello stato, polling dei dati e PIN Pronto/occupato per determinare lo stato del dispositivo
Protezione Avanzata Del Settore (Advanced Sector Protection, Asp)
Metodi di protezione volatili e non volatili per ciascun settore
Array Otp (One Time Program) da 1024 byte separato con due aree bloccabili
Tabella dei parametri Common Flash Interface (CFI)
Range Di Temperatura / Grado
Industriale (da -40 °C a +85 °C)
Industrial Plus (da -40 °C a +105 °C)
100.000 Cicli Di Programmazione/Cancellazione
20 Anni Di Conservazione Dei Dati
Opzioni Di Imballaggio
56pin TSOP
BGA a 64 sfere, 13 mm ´ 11 mm
BGA a 64 sfere con LAE, 9 mm ´ 9 mm
BGA a 56 sfere con VBU, 9 mm ´ 7 mm