Memoria Flash Infineon NOR, 256 MB, BGA, 64 Pin, CFI S29GL256P11FFIV20
- Codice RS:
- 193-8867
- Codice costruttore:
- S29GL256P11FFIV20
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 193-8867
- Codice costruttore:
- S29GL256P11FFIV20
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 256MB | |
| Tipo prodotto | Memoria Flash | |
| Tipo di interfaccia | CFI | |
| Tipo di package | BGA | |
| Numero pin | 64 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di cella | NOR | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Tipo di temporizzazione | Asincrono | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 13mm | |
| Serie | S29GL256P | |
| Numero parole | 32M | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 110ns | |
| Standard automobilistico | No | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Corrente di alimentazione | 110mA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 256MB | ||
Tipo prodotto Memoria Flash | ||
Tipo di interfaccia CFI | ||
Tipo di package BGA | ||
Numero pin 64 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di cella NOR | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Tipo di temporizzazione Asincrono | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 13mm | ||
Serie S29GL256P | ||
Numero parole 32M | ||
Tempo massimo di accesso casuale 110ns | ||
Standard automobilistico No | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Corrente di alimentazione 110mA | ||
Cypress S29GL01G/512/256/128P sono prodotti Flash Mirrorbit® fabbricati con tecnologia di processo a 90 nm. Questi dispositivi offrono un tempo di accesso rapido di 25 ns con un tempo di accesso casuale corrispondente a 90 ns. Sono dotati di un buffer di scrittura che consente di programmare un massimo di 32 parole/64 byte in un'unica operazione, con conseguente faster effective programming time rispetto agli algoritmi di programmazione standard. Ciò rende questi dispositivi ideali per le attuali applicazioni integrate che richiedono una maggiore densità, migliori prestazioni e inferiore consumo energetico.
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