Memoria Flash Cypress Semiconductor, 64Mbit, BGA, 48 Pin, CFI

La famiglia di dispositivi S29GL-S a densità media è composta da una memoria flash a potenza singola da 3,0 volt prodotta con tecnologia MirrorBit a 65 nm.
S29GL064S è un dispositivo a 64 Mb organizzato come 4,194,304 parole o 8,388,608 byte. A seconda del numero di modello, i dispositivi sono dotati solo di bus dati ampio 16bit o di un bus dati largo 16bit che può funzionare anche come bus dati largo 8bit utilizzando l'ingresso BYTE n.
I dispositivi possono essere programmati nel sistema host o in programmatori EPROM standard. Sono disponibili 70 ns di orari di accesso. Le offerte di pacchetti includono 48pin TSOP, 56pin TSOP, BGA a passo fine a 48 sfere e BGA a 64 sfere, a seconda del numero di modello. Ogni dispositivo dispone di comandi separati di abilitazione chip (CE n.), abilitazione scrittura (N. DI PARTE) e abilitazione uscita (numero di parte). Ogni dispositivo richiede un'unica alimentazione da 3,0 volt per entrambe le funzioni di lettura e scrittura. Oltre a Vcc, è supportata una funzione di programmazione accelerata (ACC) ad alta tensione tramite una maggiore tensione sull'ingresso WP/ACC o ACC. Questa funzione ha lo scopo di facilitare la produzione del sistema. I comandi vengono scritti sul dispositivo utilizzando una temporizzazione di scrittura a microprocessore standard. I cicli di scrittura inoltre bloccano internamente gli indirizzi e i dati necessari per le operazioni di programmazione e cancellazione.
L'architettura di cancellazione di settore consente di cancellare e riprogrammare i settori di memoria senza influire sul contenuto dei dati di altri settori. Il dispositivo viene completamente cancellato quando viene spedito dalla fabbrica.
La Advanced Sector Protection offre diversi livelli di protezione del settore, che possono disabilitare sia il programma che cancellare le operazioni in alcuni settori.