Memoria Flash Infineon NOR, 512 MB, SOIC, 64 Pin, SPI S25FL512SAGBHIA13
- Codice RS:
- 273-5401
- Codice costruttore:
- S25FL512SAGBHIA13
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
12.420,00 €
(IVA esclusa)
15.152,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,968 € | 12.420,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-5401
- Codice costruttore:
- S25FL512SAGBHIA13
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Memoria Flash | |
| Dimensione memoria | 512MB | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 64 | |
| Organizzazione | 64MB | |
| Frequenza di clock massima | 133MHz | |
| Tipo di cella | NOR | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | Certificazione AEC Q100 Grado 1 | |
| Serie | S25FL512S | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Memoria Flash | ||
Dimensione memoria 512MB | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 64 | ||
Organizzazione 64MB | ||
Frequenza di clock massima 133MHz | ||
Tipo di cella NOR | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico Certificazione AEC Q100 Grado 1 | ||
Serie S25FL512S | ||
- Paese di origine:
- US
La memoria flash Infineon offre densità elevate e la flessibilità e le prestazioni veloci richieste da una serie di applicazioni embedded. È ideale per l'ombreggiatura del codice, XIP e l'archiviazione dei dati. L'esecuzione del codice direttamente dalla memoria flash è spesso chiamata esecuzione diretta o XIP (Execute in Place). Utilizzando i dispositivi FL S con le velocità di clock più elevate supportate, con i comandi QIO o DDR QIO, la velocità di trasferimento di lettura delle istruzioni può corrispondere o superare le tradizionali interfacce parallele, asincrone, memorie flash NOR riducendo al contempo notevolmente il conteggio del segnale.
Contenitore senza piombo
SPI con IO multipli
Protezione del settore avanzata
Conservazione dei dati per un minimo di 20 anni
Nucleo CMOS 3,0 V con IO versatile
Minimo di 100000 cicli di programmazione e cancellazione
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